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BSC130P03LS G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 22.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：73.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3670pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC130P03LS G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 22.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：73.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3670pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC130P03LS G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 22.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：73.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3670pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

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BTA316X-800E,127
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BSC106N025S G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
CA3106F20-19PB
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SKTS
C0805C390J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 39PF 100V 5% NP0 0805
BTB08-400CRG
三端雙向可控硅開關 STMicroelectronics TO-220-3 TRIAC 400V 8A 25MA TO-220AB
CA3106R28-17PXK10
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 15POS INLINE W/PINS